ST超接面功率MOSFET实现安全的电源应用
2015-11-27 浏览：
意法半导体(STMicroelectronics，ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。MDmesh K5产品是首款拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极(drain-to-source)崩溃电压(breakdown voltage)的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中。
新产品锁定电脑伺服器及工业自动化市场。伺服器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是让伺服器最大幅度减少断电停机时间的关键因素，焊接、工厂自动化等工业应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超接面MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。
意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水准，单位面积导通电组(Rds(on)) 和闸极电荷量(Qg)均创市场最低，并拥有最佳的FoM (品质因素) 。新产品是目前主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振(quasi-resonant)与主动式箝位返驰转换器以及LLC 半桥式转换器，均要求宽输入电压、高能效(高达96%)以及输出功率近200W的电源。
该系列先推出的两款产品STW12N150K5及 STW21N150K5其最大漏源电流分别达到7A和14A，闸极电荷量仅有47nC(STW12N150K5)／导通电阻仅 0.9Ω (STW21N150K5)。两款产品均已量产，采TO-247封装。
新产品锁定电脑伺服器及工业自动化市场。伺服器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是让伺服器最大幅度减少断电停机时间的关键因素，焊接、工厂自动化等工业应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超接面MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。
意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水准，单位面积导通电组(Rds(on)) 和闸极电荷量(Qg)均创市场最低，并拥有最佳的FoM (品质因素) 。新产品是目前主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振(quasi-resonant)与主动式箝位返驰转换器以及LLC 半桥式转换器，均要求宽输入电压、高能效(高达96%)以及输出功率近200W的电源。
该系列先推出的两款产品STW12N150K5及 STW21N150K5其最大漏源电流分别达到7A和14A，闸极电荷量仅有47nC(STW12N150K5)／导通电阻仅 0.9Ω (STW21N150K5)。两款产品均已量产，采TO-247封装。
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